Numéro de produit du fabricant:
IXFP12N65X2
Product Overview
Fabricant:
IXYS
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IXFP12N65X2-DG
Description:
MOSFET N-CH 650V 12A TO220AB
Description détaillée:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventaire:
290 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12905780
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SOUMETTRE
IXFP12N65X2 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
Tube
Série
HiPerFET™, Ultra X2
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
12A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
310mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
18.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1134 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
180W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220-3
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
IXFP12
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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