Numéro de produit du fabricant:
IXFN50N120SIC
Product Overview
Fabricant:
IXYS
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IXFN50N120SIC-DG
Description:
SICFET N-CH 1200V 47A SOT227B
Description détaillée:
N-Channel 1200 V 47A (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventaire:
15 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12820664
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SOUMETTRE
IXFN50N120SIC Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
47A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
20V
rds activé (max) @ id, vgs
50mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 10mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 20 V
Vgs (max.)
+20V, -5V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1900 pF @ 1000 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
-
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Chassis Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-227B
Emballage / Caisse
SOT-227-4, miniBLOC
Numéro de produit de base
IXFN50
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
10
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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