IXFN38N100Q2
Numéro de produit du fabricant:

IXFN38N100Q2

Product Overview

Fabricant:

IXYS

DiGi Electronics Numéro de pièce:

IXFN38N100Q2-DG

Description:

MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227
Description détaillée:
N-Channel 1000 V 38A (Tc) 890W (Tc) Chassis Mount SOT-227B

Inventaire:

12821677
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SOUMETTRE

IXFN38N100Q2 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
Tube
Série
HiPerFET™, Q2 Class
État du produit
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1000 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
38A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
250mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
250 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
7200 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
890W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Chassis Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-227B
Emballage / Caisse
SOT-227-4, miniBLOC
Numéro de produit de base
IXFN38

Informations supplémentaires

Forfait standard
10

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
APT10025JVR
FABRICANT
Microchip Technology
QUANTITÉ DISPONIBLE
9
NUMÉRO DE PIÈCE
APT10025JVR-DG
PRIX UNITAIRE
65.31
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PRIX UNITAIRE
49.87
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