Numéro de produit du fabricant:
IXFN27N80
Product Overview
Fabricant:
IXYS
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IXFN27N80-DG
Description:
MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B
Description détaillée:
N-Channel 800 V 27A (Tc) 520W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventaire:
12821875
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SOUMETTRE
IXFN27N80 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
Tube
Série
HiPerFET™
État du produit
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
800 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
27A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V, 15V
rds activé (max) @ id, vgs
300mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 8mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
400 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
9740 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
520W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Chassis Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-227B
Emballage / Caisse
SOT-227-4, miniBLOC
Numéro de produit de base
IXFN27
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
10
Autres noms
Q1653251
468185
IXFN27N80-NDR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFN32N80P
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFN32N80P-DG
PRIX UNITAIRE
18.81
TYPE DE SUBSTITUT
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NUMÉRO DE PIÈCE
APT8030JVFR
FABRICANT
Microchip Technology
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
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APT8030JVFR-DG
PRIX UNITAIRE
31.00
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