Numéro de produit du fabricant:
IXFN25N90
Product Overview
Fabricant:
IXYS
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IXFN25N90-DG
Description:
MOSFET N-CH 900V 25A SOT-227B
Description détaillée:
N-Channel 900 V 25A (Tc) 600W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventaire:
12822312
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SOUMETTRE
IXFN25N90 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
-
Série
HiPerFET™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
900 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
25A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
330mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
240 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
10800 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
600W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Chassis Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-227B
Emballage / Caisse
SOT-227-4, miniBLOC
Numéro de produit de base
IXFN25
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
10
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
APT32F120J
FABRICANT
Microchip Technology
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
APT32F120J-DG
PRIX UNITAIRE
52.03
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0
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29.98
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
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