Numéro de produit du fabricant:
IXFN150N10
Product Overview
Fabricant:
IXYS
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IXFN150N10-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 150A SOT-227
Description détaillée:
N-Channel 100 V 150A (Tc) 520W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventaire:
12820813
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SOUMETTRE
IXFN150N10 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
Bulk
Série
HiPerFET™
État du produit
Last Time Buy
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
150A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
12mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 8mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
360 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
9000 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
520W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Chassis Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-227B
Emballage / Caisse
SOT-227-4, miniBLOC
Numéro de produit de base
IXFN150
Informations supplémentaires
Forfait standard
20
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFN200N10P
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
37
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFN200N10P-DG
PRIX UNITAIRE
17.53
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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