Numéro de produit du fabricant:
IXFN110N85X
Product Overview
Fabricant:
IXYS
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IXFN110N85X-DG
Description:
MOSFET N-CH 850V 110A SOT227B
Description détaillée:
N-Channel 850 V 110A (Tc) 1170W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventaire:
12822143
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SOUMETTRE
IXFN110N85X Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
Tube
Série
HiPerFET™, Ultra X
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
850 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
110A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
33mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 8mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
425 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
17000 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1170W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Chassis Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-227B
Emballage / Caisse
SOT-227-4, miniBLOC
Numéro de produit de base
IXFN110
Informations supplémentaires
Forfait standard
10
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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