Numéro de produit du fabricant:
IXFN100N10S1
Product Overview
Fabricant:
IXYS
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IXFN100N10S1-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
Description détaillée:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 360W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventaire:
12821587
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
IXFN100N10S1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
-
Série
HiPerFET™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
100A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
15mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4500 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
360W (Tc)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Chassis Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-227B
Emballage / Caisse
SOT-227-4, miniBLOC
Numéro de produit de base
IXFN100
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
10
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
APT10M11JVRU2
FABRICANT
Microchip Technology
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
APT10M11JVRU2-DG
PRIX UNITAIRE
30.73
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFN360N10T
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFN360N10T-DG
PRIX UNITAIRE
16.71
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
Certification DIGI
Produits Connexes
IXFH160N15T
MOSFET N-CH 150V 160A TO247AD
IXFH18N60X
MOSFET N-CH 600V 18A TO247
AUIRF1404S
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
