IXFK26N90
Numéro de produit du fabricant:

IXFK26N90

Product Overview

Fabricant:

IXYS

DiGi Electronics Numéro de pièce:

IXFK26N90-DG

Description:

MOSFET N-CH 900V 26A TO-264
Description détaillée:
N-Channel 900 V 26A (Tc) 560W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)

Inventaire:

12909673
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SOUMETTRE

IXFK26N90 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
Tube
Série
HiPerFET™
État du produit
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
900 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
26A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
300mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
240 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
10800 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
560W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-264AA (IXFK)
Emballage / Caisse
TO-264-3, TO-264AA
Numéro de produit de base
IXFK26

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
25

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
IXFK40N90P
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
235
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFK40N90P-DG
PRIX UNITAIRE
17.53
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
Certification DIGI
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