Numéro de produit du fabricant:
IXFK170N10
Product Overview
Fabricant:
IXYS
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IXFK170N10-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 170A TO-264AA
Description détaillée:
N-Channel 100 V 170A (Tc) 560W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
Inventaire:
12821479
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SOUMETTRE
IXFK170N10 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
Tube
Série
HiPerFET™
État du produit
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
170A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
10mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 8mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
515 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
10300 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
560W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-264AA (IXFK)
Emballage / Caisse
TO-264-3, TO-264AA
Numéro de produit de base
IXFK170
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
25
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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