Accueil
Produits
Fabricants
À propos de DiGi
Contactez-nous
Blogs et Articles
Demande de devis
France
Se connecter
Langue sélective
Langue actuelle de votre choix :
France
Interrupteur:
Anglais
Europe
Royaume-Uni
France
Espagne
Turquie
Moldavie
Lituanie
Norvège
Allemagne
Portugal
Slovaquie
ltaly
Finlande
Russe
Bulgarie
Danemark
Estonie
Pologne
Ukraine
Slovénie
Tchèque
Grec
Croatie (Hrvatska)
Israël
Serbie
Biélorussie
Pays-Bas
Suède
Monténégro
Basque
Islande
Bosnie
Hongrois
Roumanie
Autriche
Belgique
Irlande
Asie / Pacifique
Chine
Viêt Nam
Indonésie
Thaïlande
Laos
Filipino
Malaisie
Corée
Japon
Hong Kong
Taiwan
Singapour
Pakistan
Arabie Saoudite
Qatar
Koweït
Cambodge
Myanmar
Afrique, Inde et Moyen-Orient
Émirats arabes unis
Tadjikistan
Madagascar
Inde
Iran
RD Congo
Afrique du Sud
Égypte
Kenya
Tanzanie
Ghana
Sénégal
Maroc
Tunisie
Amérique du Sud / Océanie
Nouvelle-Zélande
Angola
Brésil
Mozambique
Pérou
Colombie
Chili
Venezuela
Équateur
Bolivie
Uruguay
Argentine
Paraguay
Australie
Amérique du Nord
États-Unis
Haïti
Canada
Costa Rica
Mexique
À propos de DiGi
À propos de nous
À propos de nous
Nos Certifications
DiGi Introduction
Pourquoi DiGi
Politique
Politique de qualité
Conditions d'utilisation
Conformité RoHS
Processus de Retour
Ressources
Catégories de produits
Fabricants
Blogs et Articles
Services
Garantie de qualité
Mode de paiement
Expédition mondiale
Tarifs d'expédition
FAQ
Numéro de produit du fabricant:
IXFH22N65X2
Product Overview
Fabricant:
IXYS
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IXFH22N65X2-DG
Description:
MOSFET N-CH 650V 22A TO247
Description détaillée:
N-Channel 650 V 22A (Tc) 390W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Inventaire:
Demande de devis en ligne
12821361
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
*
Société
*
Nom du contact
*
Téléphone
*
E-mail
Adresse de livraison
Message
(
*
) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
IXFH22N65X2 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
Tube
Série
HiPerFET™, Ultra X2
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
22A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
160mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 1.5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2310 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
390W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247 (IXTH)
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
IXFH22
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
IXFH22N65X2-DG
Fiches techniques
IXFH22N65X2
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
SCT3120ALGC11
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
6940
NUMÉRO DE PIÈCE
SCT3120ALGC11-DG
PRIX UNITAIRE
4.30
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
STW28N60M2
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
96
NUMÉRO DE PIÈCE
STW28N60M2-DG
PRIX UNITAIRE
1.56
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
SIHG22N60E-GE3
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
498
NUMÉRO DE PIÈCE
SIHG22N60E-GE3-DG
PRIX UNITAIRE
1.88
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
STW24N60M2
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
562
NUMÉRO DE PIÈCE
STW24N60M2-DG
PRIX UNITAIRE
1.39
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
STW24N60DM2
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
14
NUMÉRO DE PIÈCE
STW24N60DM2-DG
PRIX UNITAIRE
2.22
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
Certification DIGI
Produits Connexes
IXTY12N06T
MOSFET N-CH 60V 12A TO252
IXTP220N055T
MOSFET N-CH 55V 220A TO220AB
IXFB150N65X2
MOSFET N-CH 650V 150A PLUS264
IXTA12N65X2
MOSFET N-CH 650V 12A TO263AA