Numéro de produit du fabricant:
IXFH20N80Q
Product Overview
Fabricant:
IXYS
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IXFH20N80Q-DG
Description:
MOSFET N-CH 800V 20A TO247AD
Description détaillée:
N-Channel 800 V 20A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Inventaire:
12822057
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SOUMETTRE
IXFH20N80Q Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
-
Série
HiPerFET™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
800 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
20A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
420mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
200 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
5100 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
360W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247AD (IXFH)
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
IXFH20
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Autres noms
IXFH20N80Q-NDR
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
SPW17N80C3FKSA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
452
NUMÉRO DE PIÈCE
SPW17N80C3FKSA1-DG
PRIX UNITAIRE
2.35
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