Numéro de produit du fabricant:
IXFH11N80
Product Overview
Fabricant:
IXYS
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IXFH11N80-DG
Description:
MOSFET N-CH 800V 11A TO247AD
Description détaillée:
N-Channel 800 V 11A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Inventaire:
12822213
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SOUMETTRE
IXFH11N80 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
-
Série
HiPerFET™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
800 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
11A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
950mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
155 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4200 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
300W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247AD (IXFH)
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
IXFH11
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Autres noms
IXFH11N80-NDR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
SPW17N80C3FKSA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
452
NUMÉRO DE PIÈCE
SPW17N80C3FKSA1-DG
PRIX UNITAIRE
2.35
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0
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