Numéro de produit du fabricant:
IXFC80N08
Product Overview
Fabricant:
IXYS
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IXFC80N08-DG
Description:
MOSFET N-CH 80V 80A ISOPLUS220
Description détaillée:
N-Channel 80 V 80A (Tc) 230W (Tc) Through Hole ISOPLUS220™
Inventaire:
12821502
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SOUMETTRE
IXFC80N08 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
-
Série
HiPerFET™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
80 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
80A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
11mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4800 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
230W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
ISOPLUS220™
Emballage / Caisse
ISOPLUS220™
Numéro de produit de base
IXFC80N08
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
TK100E08N1,S1X
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
57
NUMÉRO DE PIÈCE
TK100E08N1,S1X-DG
PRIX UNITAIRE
1.64
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QUANTITÉ DISPONIBLE
0
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PRIX UNITAIRE
0.75
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