Numéro de produit du fabricant:
IXFA4N100Q
Product Overview
Fabricant:
IXYS
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IXFA4N100Q-DG
Description:
MOSFET N-CH 1000V 4A TO263
Description détaillée:
N-Channel 1000 V 4A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263AA (IXFA)
Inventaire:
12912969
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SOUMETTRE
IXFA4N100Q Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
Tube
Série
HiPerFET™, Q Class
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1000 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
3Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1050 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
150W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263AA (IXFA)
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
IXFA4N100
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFBF30STRLPBF
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
911
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFBF30STRLPBF-DG
PRIX UNITAIRE
1.50
TYPE DE SUBSTITUT
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