IRFAC50
Numéro de produit du fabricant:

IRFAC50

Product Overview

Fabricant:

International Rectifier

DiGi Electronics Numéro de pièce:

IRFAC50-DG

Description:

N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Description détaillée:
N-Channel 600 V 10.6A 150W Through Hole TO-204AA (TO-3)

Inventaire:

129 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12933227
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

IRFAC50 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
10.6A
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
-
rds activé (max) @ id, vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Vgs (max.)
-
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
150W
Température de fonctionnement
-
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-204AA (TO-3)
Emballage / Caisse
TO-204AA, TO-3

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
41
Autres noms
2156-IRFAC50
IRFIRFIRFAC50

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certification DIGI
Produits Connexes
renesas-electronics-america

2SK3140-02-E

N-CHANNEL POWER MOSFET

onsemi

CPH3445-TL-E

NCH 4V DRIVE SERIES

renesas-electronics-america

2SK3055(1)-AZ

N-CHANNEL POWER MOSFET

onsemi

CPH5811-TL-E

NCH+SBD 1.8V DRIVE SERIES