Numéro de produit du fabricant:
IRF40DM229
Product Overview
Fabricant:
International Rectifier
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRF40DM229-DG
Description:
MOSFET N-CH 40V 159A DIRECTFET
Description détaillée:
N-Channel 40 V 159A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric MF
Inventaire:
4396 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12946657
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SOUMETTRE
IRF40DM229 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
StrongIRFET™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
159A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.85mOhm @ 97A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
161 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
5317 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
83W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
DirectFET™ Isometric MF
Emballage / Caisse
DirectFET™ Isometric MF
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
249
Autres noms
2156-IRF40DM229
INFINFIRF40DM229
Classification environnementale et d'exportation
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
BSC091N03MSCGATMA1
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FDC654P
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
BSS127SSN-7
MOSFET N-CH 600V 50MA SC59
