Numéro de produit du fabricant:
AUIRF7675M2TR
Product Overview
Fabricant:
International Rectifier
DiGi Electronics Numéro de pièce:
AUIRF7675M2TR-DG
Description:
AUIRF7675M2 - 120V-300V N-CHANNE
Description détaillée:
N-Channel 150 V 4.4A (Ta), 18A (Tc) 2.7W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric M2
Inventaire:
2988 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12946055
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SOUMETTRE
AUIRF7675M2TR Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
HEXFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
150 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4.4A (Ta), 18A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
56mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1360 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.7W (Ta), 45W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
DirectFET™ Isometric M2
Emballage / Caisse
DirectFET™ Isometric M2
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
267
Autres noms
INFIRFAUIRF7675M2TR
2156-AUIRF7675M2TR
Classification environnementale et d'exportation
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
FCP16N60N
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
2SK2632LS-CB11
2SK2632 - 2.5A, 800V, 4.8OHM, N-
FCH077N65F-F085
MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3