SPW20N60CFDFKSA1
Numéro de produit du fabricant:

SPW20N60CFDFKSA1

Product Overview

Fabricant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Numéro de pièce:

SPW20N60CFDFKSA1-DG

Description:

MOSFET N-CH 650V 20.7A TO247-3
Description détaillée:
N-Channel 650 V 20.7A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1

Inventaire:

12807998
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

SPW20N60CFDFKSA1 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tube
Série
CoolMOS™
État du produit
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
20.7A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
220mOhm @ 13.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
124 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2400 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
208W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO247-3-1
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
SPW20N60

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
240
Autres noms
SP000014535
SPW20N60CFDIN-DG
2156-SPW20N60CFDFKSA1
IFEINFSPW20N60CFDFKSA1
SPW20N60CFD
SPW20N60CFDIN
SPW20N60CFDX
SPW20N60CFD-DG
SPW20N60CFDXK

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
IXTH30N60P
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
648
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTH30N60P-DG
PRIX UNITAIRE
5.55
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFH30N60P
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFH30N60P-DG
PRIX UNITAIRE
5.65
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFP27N60KPBF
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
185
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFP27N60KPBF-DG
PRIX UNITAIRE
4.92
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
STW18N60M2
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
476
NUMÉRO DE PIÈCE
STW18N60M2-DG
PRIX UNITAIRE
1.26
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFH22N60P
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFH22N60P-DG
PRIX UNITAIRE
5.01
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
Produits Connexes
infineon-technologies

SIPC14N50C3X1SA2

TRANSISTOR N-CH

microchip-technology

TN0610N3-G-P013

MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3

infineon-technologies

SPP77N06S2-12

MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3

infineon-technologies

SPI21N50C3XKSA1

MOSFET N-CH 560V 21A TO262-3