Numéro de produit du fabricant:
SPU30P06P
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SPU30P06P-DG
Description:
MOSFET P-CH 60V 30A TO251-3
Description détaillée:
P-Channel 60 V 30A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Inventaire:
12805508
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
SPU30P06P Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
SIPMOS®
État du produit
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
30A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
75mOhm @ 21.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1.7mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1535 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
125W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO251-3
Emballage / Caisse
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numéro de produit de base
SPU30P
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
75
Autres noms
SPU30P06P-DG
SPU30P06PX
SPU30P06PXK
2156-SPU30P06P-IT
INFINFSPU30P06P
SP000012844
SPU30P06PIN
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFU5305PBF
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFU5305PBF-DG
PRIX UNITAIRE
0.38
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
Produits Connexes
IPP062NE7N3GXKSA1
MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
IRL40B212
MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
IPP057N06N3GHKSA1
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3