Numéro de produit du fabricant:
SPP20N65C3XKSA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SPP20N65C3XKSA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO220-3
Description détaillée:
N-Channel 650 V 20.7A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventaire:
462 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12806750
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SOUMETTRE
SPP20N65C3XKSA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tube
Série
CoolMOS™
État du produit
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
20.7A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
190mOhm @ 13.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
114 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2400 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
208W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO220-3
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
SPP20N65
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
SP000681064
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFP22N65X2
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFP22N65X2-DG
PRIX UNITAIRE
2.43
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
SPW20N60C3FKSA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
2123
NUMÉRO DE PIÈCE
SPW20N60C3FKSA1-DG
PRIX UNITAIRE
2.91
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
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