SPP16N50C3HKSA1
Numéro de produit du fabricant:

SPP16N50C3HKSA1

Product Overview

Fabricant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Numéro de pièce:

SPP16N50C3HKSA1-DG

Description:

MOSFET N-CH 560V 16A TO220-3
Description détaillée:
N-Channel 560 V 16A (Tc) 160W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1

Inventaire:

12855557
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SOUMETTRE

SPP16N50C3HKSA1 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
CoolMOS™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
560 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
16A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
280mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 675µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1600 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
160W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO220-3-1
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
SPP16N

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
500
Autres noms
SPP16N50C3XTIN
SPP16N50C3IN
SPP16N50C3XK
IFEINFSPP16N50C3HKSA1
SPP16N50C3IN-DG
SPP16N50C3X
SPP16N50C3XTIN-DG
SPP16N50C3
SPP16N50C3IN-NDR
2156-SPP16N50C3HKSA1

Classification environnementale et d'exportation

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

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PRIX UNITAIRE
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0
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PRIX UNITAIRE
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