SPP11N60S5XKSA1
Numéro de produit du fabricant:

SPP11N60S5XKSA1

Product Overview

Fabricant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Numéro de pièce:

SPP11N60S5XKSA1-DG

Description:

LOW POWER_LEGACY
Description détaillée:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1

Inventaire:

12852942
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

SPP11N60S5XKSA1 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
CoolMOS™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
11A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
380mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 500µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1460 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
125W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO220-3-1
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
SPP11N60

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
500
Autres noms
SP000681044
SPP11N60S5XKSA1-DG
448-SPP11N60S5XKSA1

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
STP17N80K5
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
STP17N80K5-DG
PRIX UNITAIRE
2.15
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTP12N70X2
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTP12N70X2-DG
PRIX UNITAIRE
3.00
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFP22N60P3
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
1
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFP22N60P3-DG
PRIX UNITAIRE
2.48
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
IPP60R360P7XKSA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
IPP60R360P7XKSA1-DG
PRIX UNITAIRE
0.66
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
Produits Connexes
onsemi

MCH3476-TL-W

MOSFET N-CH 20V 2A SC70FL/MCPH3

vishay-siliconix

IRF1405ZTRR

MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB

renesas-electronics-america

2SK1058-E

MOSFET N-CH 160V 7A TO3P

infineon-technologies

IPA60R380P6XKSA1

MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-FP