Numéro de produit du fabricant:
SPP10N10
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SPP10N10-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 10.3A TO220-3
Description détaillée:
N-Channel 100 V 10.3A (Tc) 50W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventaire:
12806489
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SOUMETTRE
SPP10N10 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
SIPMOS®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
10.3A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
170mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 21µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
19.4 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
426 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
50W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO220-3-1
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
SPP10N
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
500
Autres noms
INFINFSPP10N10
2156-SPP10N10-IT
SPP10N10X
SP000013844
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF540ZPBF
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
41160
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF540ZPBF-DG
PRIX UNITAIRE
0.46
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
IRL530PBF
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
10171
NUMÉRO DE PIÈCE
IRL530PBF-DG
PRIX UNITAIRE
0.56
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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