Numéro de produit du fabricant:
SPP04N80C3XK
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SPP04N80C3XK-DG
Description:
MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3
Description détaillée:
N-Channel 800 V 4A (Tc) 63W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventaire:
12807670
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SOUMETTRE
SPP04N80C3XK Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
CoolMOS™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
800 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.3Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 240µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
570 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
63W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO220-3
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
SPP04N
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
SP000013706
2156-SPP04N80C3XK
IFEINFSPP04N80C3XK
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
SPP04N80C3XKSA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
590
NUMÉRO DE PIÈCE
SPP04N80C3XKSA1-DG
PRIX UNITAIRE
0.65
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
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IRLR7821PBF
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