SPD04N60C2
Numéro de produit du fabricant:

SPD04N60C2

Product Overview

Fabricant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Numéro de pièce:

SPD04N60C2-DG

Description:

N-CHANNEL POWER MOSFET
Description détaillée:
N-Channel 600 V 4.5A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-1

Inventaire:

45850 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12935489
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SOUMETTRE

SPD04N60C2 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Bulk
Série
CoolMOS™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
950mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 200µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
22.9 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
580 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
50W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO252-3-1
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Fiche technique & Documents

Fiches techniques
Datasheet

Informations supplémentaires

Forfait standard
831
Autres noms
2156-SPD04N60C2
INFINFSPD04N60C2

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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