Numéro de produit du fabricant:
ISC0805NLSATMA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
ISC0805NLSATMA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 13A/71A TDSON
Description détaillée:
N-Channel 100 V 13A (Ta), 71A (Tc) 2.5W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-46
Inventaire:
2594 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12993099
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SOUMETTRE
ISC0805NLSATMA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™ 5
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
13A (Ta), 71A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
7.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 40µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2200 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.5W (Ta), 74W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TDSON-8-46
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Numéro de produit de base
ISC0805N
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
5,000
Autres noms
448-ISC0805NLSATMA1TR
448-ISC0805NLSATMA1DKR
448-ISC0805NLSATMA1CT
SP005430376
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
GCMS040B120S1-E1
SIC 1200V 40M MOSFET & 15A SBD S
SIHP15N80AEF-GE3
EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
SQJ174EP-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
