Numéro de produit du fabricant:
IRLU3714Z
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRLU3714Z-DG
Description:
MOSFET N-CH 20V 37A I-PAK
Description détaillée:
N-Channel 20 V 37A (Tc) 35W (Tc) Through Hole IPAK
Inventaire:
12806003
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
IRLU3714Z Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
HEXFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
37A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
15mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.55V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
7.1 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
560 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
35W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
IPAK
Emballage / Caisse
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
75
Autres noms
*IRLU3714Z
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
IRF530NS
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
SPP06N80C3XKSA1
MOSFET N-CH 800V 6A TO220-3
SPN02N60S5
MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223-4