Numéro de produit du fabricant:
IRLS3813PBF
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRLS3813PBF-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK
Description détaillée:
N-Channel 30 V 160A (Tc) 195W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventaire:
12805917
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SOUMETTRE
IRLS3813PBF Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
HEXFET®
État du produit
Discontinued at Digi-Key
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
160A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.95mOhm @ 148A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 150µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
83 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
8020 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
195W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
D2PAK
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
SP001576946
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
STB270N4F3
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
3013
NUMÉRO DE PIÈCE
STB270N4F3-DG
PRIX UNITAIRE
2.04
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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