Numéro de produit du fabricant:
IRLR3110ZTRPBF
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRLR3110ZTRPBF-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Description détaillée:
N-Channel 100 V 42A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
Inventaire:
20611 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12807472
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SOUMETTRE
IRLR3110ZTRPBF Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
HEXFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
42A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
14mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±16V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3980 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
140W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252AA (DPAK)
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
IRLR3110
Fiche technique & Documents
Ressources de conception
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,000
Autres noms
IRLR3110ZTRPBFTR
IRLR3110ZTRPBFDKR
SP001574010
IRLR3110ZTRPBFCT
IRLR3110ZTRPBF-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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