Numéro de produit du fabricant:
IRLC120NB
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRLC120NB-DG
Description:
MOSFET 100V 10A DIE
Description détaillée:
100 V 10A Surface Mount Die
Inventaire:
12974515
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SOUMETTRE
IRLC120NB Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
HEXFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
-
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
10A
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
180mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Vgs (max.)
-
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
-
Température de fonctionnement
-
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
Die
Emballage / Caisse
Die
Informations supplémentaires
Forfait standard
1
Autres noms
448-IRLC120NB
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
OBSOLETE
Certification DIGI
Produits Connexes
NVTYS029N08HTWG
T8 80V N-CH SG IN LFPAK33
PJC7476_R1_00001
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
NVTYS006N06CLTWG
T6 60V N-CH LL IN LFPAK33
