Numéro de produit du fabricant:

IRLBD59N04ETRLP

Product Overview

Fabricant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Numéro de pièce:

IRLBD59N04ETRLP-DG

Description:

MOSFET N-CH 40V 59A TO263-5

Description détaillée:

N-Channel 40 V 59A (Tc) 130W (Tc) Surface Mount TO-263-5

Inventaire:

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12806083

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SOUMETTRE

IRLBD59N04ETRLP Spécifications techniques

Catégorie

FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs

Fabricant

Infineon Technologies

Emballage

-

Série

HEXFET®

État du produit

Obsolete

FET Type

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tension de vidange à la source (Vdss)

40 V

Courant - drain continu (id) @ 25°C

59A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

rds activé (max) @ id, vgs

18mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs

50 nC @ 5 V

Vgs (max.)

±10V

Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds

2190 pF @ 25 V

Fonctionnalité FET

-

Dissipation de puissance (max.)

130W (Tc)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage

Surface Mount

Ensemble d’appareils du fournisseur

TO-263-5

Emballage / Caisse

TO-263-6, D2PAK (5 Leads + Tab), TO-263BA

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard

800

Classification environnementale et d'exportation

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)

1 (Unlimited)

Statut REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certification DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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