Numéro de produit du fabricant:
IRL8114PBF
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRL8114PBF-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V 90A TO220AB
Description détaillée:
N-Channel 30 V 90A (Tc) 115W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventaire:
12806208
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
IRL8114PBF Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
HEXFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
90A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
4.5mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.25V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2660 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
115W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220AB
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
IRL8114
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
SP001550392
64-0104PBF-DG
64-0104PBF
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IPP042N03LGXKSA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
238
NUMÉRO DE PIÈCE
IPP042N03LGXKSA1-DG
PRIX UNITAIRE
0.49
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
Produits Connexes
IRFS4010TRLPBF
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
IRFR6215TRL
MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
IRFB7446GPBF
MOSFET N CH 40V 120A TO220AB