Numéro de produit du fabricant:
IRL60B216
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRL60B216-DG
Description:
MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
Description détaillée:
N-Channel 60 V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventaire:
12806917
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SOUMETTRE
IRL60B216 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
HEXFET®, StrongIRFET™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
195A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
258 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
15570 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
375W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220AB
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
IRL60B216
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
SP001568416
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
CSD18535KCS
FABRICANT
Texas Instruments
QUANTITÉ DISPONIBLE
2411
NUMÉRO DE PIÈCE
CSD18535KCS-DG
PRIX UNITAIRE
1.29
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
STP220N6F7
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
196
NUMÉRO DE PIÈCE
STP220N6F7-DG
PRIX UNITAIRE
1.47
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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