Numéro de produit du fabricant:
IRL3103D1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRL3103D1-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V 64A TO220AB
Description détaillée:
N-Channel 30 V 64A (Tc) 2W (Ta), 89W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventaire:
12815202
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SOUMETTRE
IRL3103D1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
FETKY™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
64A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
14mOhm @ 34A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±16V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1900 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2W (Ta), 89W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220AB
Emballage / Caisse
TO-220-3
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
*IRL3103D1
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
PSMN022-30PL,127
FABRICANT
Nexperia USA Inc.
QUANTITÉ DISPONIBLE
8226
NUMÉRO DE PIÈCE
PSMN022-30PL,127-DG
PRIX UNITAIRE
0.58
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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