Numéro de produit du fabricant:
IRFSL7734PBF
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRFSL7734PBF-DG
Description:
MOSFET N-CH 75V 183A TO262
Description détaillée:
N-Channel 75 V 183A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-262
Inventaire:
12804921
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SOUMETTRE
IRFSL7734PBF Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
HEXFET®, StrongIRFET™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
75 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
183A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
3.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
270 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
10150 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
290W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-262
Emballage / Caisse
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numéro de produit de base
IRFSL7734
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
2156-IRFSL7734PBFINF
SP001557658
INFINFIRFSL7734PBF
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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