Numéro de produit du fabricant:
IRFS4229TRLPBF
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRFS4229TRLPBF-DG
Description:
MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK
Description détaillée:
N-Channel 250 V 45A (Tc) 330W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventaire:
2694 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12818509
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SOUMETTRE
IRFS4229TRLPBF Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
HEXFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
250 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
45A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
48mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4560 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
330W (Tc)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO263-3
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
IRFS4229
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
800
Autres noms
IRFS4229TRLPBFDKR
IRFS4229TRLPBFTR
SP001557392
IRFS4229TRLPBF-DG
IRFS4229TRLPBFCT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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