IRFR8314TRPBF
Numéro de produit du fabricant:

IRFR8314TRPBF

Product Overview

Fabricant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Numéro de pièce:

IRFR8314TRPBF-DG

Description:

MOSFET N-CH 30V 90A DPAK
Description détaillée:
N-Channel 30 V 90A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)

Inventaire:

5458 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12803965
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SOUMETTRE

IRFR8314TRPBF Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
HEXFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
90A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.2mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
54 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4945 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
125W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252AA (DPAK)
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
IRFR8314

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
2,000
Autres noms
IRFR8314TRPBFCT
IRFR8314TRPBFTR
SP001565102
IRFR8314TRPBFDKR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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