Numéro de produit du fabricant:
IRFR3411TRPBF
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRFR3411TRPBF-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
Description détaillée:
N-Channel 100 V 32A (Tc) 130W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
Inventaire:
12407 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12804840
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SOUMETTRE
IRFR3411TRPBF Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
HEXFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
32A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
44mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
71 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1960 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
130W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252AA (DPAK)
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
IRFR3411
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,000
Autres noms
SP001564934
IRFR3411TRPBFCT
IRFR3411TRPBF-DG
IRFR3411TRPBFTR
IRFR3411TRPBFDKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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