Numéro de produit du fabricant:
IRFR3410TRLPBF
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRFR3410TRLPBF-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 31A DPAK
Description détaillée:
N-Channel 100 V 31A (Tc) 3W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
Inventaire:
11375 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12808892
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SOUMETTRE
IRFR3410TRLPBF Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
HEXFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
31A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
39mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1690 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3W (Ta), 110W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252AA (DPAK)
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
IRFR3410
Fiche technique & Documents
Ressources de conception
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
SP001572792
IRFR3410TRLPBFDKR
IRFR3410TRLPBFTR
IRFR3410TRLPBFCT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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