Numéro de produit du fabricant:
IRFR18N15D
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRFR18N15D-DG
Description:
MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
Description détaillée:
N-Channel 150 V 18A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
Inventaire:
13064164
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SOUMETTRE
IRFR18N15D Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
HEXFET®
Emballage
Tube
État de la pièce
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
150 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
18A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
125mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
900 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
110W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252AA (DPAK)
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique & Documents
Ressources de conception
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
75
Autres noms
*IRFR18N15D
SP001571432
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
STD6NF10T4
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
4791
NUMÉRO DE PIÈCE
STD6NF10T4-DG
PRIX UNITAIRE
0.38
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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