IRFP4137PBF
Numéro de produit du fabricant:

IRFP4137PBF

Product Overview

Fabricant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Numéro de pièce:

IRFP4137PBF-DG

Description:

MOSFET N-CH 300V 38A TO247AC
Description détaillée:
N-Channel 300 V 38A (Tc) 341W (Tc) Through Hole TO-247AC

Inventaire:

13064182
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SOUMETTRE

IRFP4137PBF Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tube
Série
HEXFET®
Emballage
Tube
État de la pièce
Last Time Buy
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
300 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
38A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
69mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
125 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
5168 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
341W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247AC
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
IRFP4137

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
25
Autres noms
SP001571068
INFIRFIRFP4137PBF
2156-IRFP4137PBF
2166-IRFP4137PBF-448

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
IRFP4229PBFXKMA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFP4229PBFXKMA1-DG
PRIX UNITAIRE
3.30
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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