Numéro de produit du fabricant:
IRFI4410ZPBF
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRFI4410ZPBF-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 43A TO220AB FP
Description détaillée:
N-Channel 100 V 43A (Tc) 47W (Tc) Through Hole TO-220AB Full-Pak
Inventaire:
823 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12822710
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SOUMETTRE
IRFI4410ZPBF Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tube
Série
HEXFET®
État du produit
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
43A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
9.3mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4910 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
47W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220AB Full-Pak
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Numéro de produit de base
IRFI4410
Fiche technique & Documents
Ressources de conception
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
IRFI4410ZPBF-DG
448-IRFI4410ZPBF
SP001566742
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
TK46A08N1,S4X
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
8
NUMÉRO DE PIÈCE
TK46A08N1,S4X-DG
PRIX UNITAIRE
0.35
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
STF100N10F7
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
10390
NUMÉRO DE PIÈCE
STF100N10F7-DG
PRIX UNITAIRE
1.03
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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