Numéro de produit du fabricant:
IRFHM8363TR2PBF
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRFHM8363TR2PBF-DG
Description:
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
Description détaillée:
Mosfet Array 30V 11A 2.7W Surface Mount 8-PQFN-Dual (3.3x3.3)
Inventaire:
12806532
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SOUMETTRE
IRFHM8363TR2PBF Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 N-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate
Tension de vidange à la source (Vdss)
30V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
11A
rds activé (max) @ id, vgs
14.9mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1165pF @ 10V
Puissance - Max
2.7W
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
8-PowerVDFN
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-PQFN-Dual (3.3x3.3)
Numéro de produit de base
IRFHM8363
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
400
Autres noms
IRFHM8363TR2PBFTR
IRFHM8363TR2PBFDKR
SP001564106
IRFHM8363TR2PBFCT
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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