Numéro de produit du fabricant:
IRFHM830TRPBF
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRFHM830TRPBF-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
Description détaillée:
N-Channel 30 V 21A (Ta), 40A (Tc) 2.7W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount 8-PQFN-Dual (3.3x3.3)
Inventaire:
8408 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12804851
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SOUMETTRE
IRFHM830TRPBF Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
HEXFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
21A (Ta), 40A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
3.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 50µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2155 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.7W (Ta), 37W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-PQFN-Dual (3.3x3.3)
Emballage / Caisse
8-PowerVDFN
Numéro de produit de base
IRFHM830
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
4,000
Autres noms
IRFHM830TRPBF-DG
IRFHM830TRPBFTR
SP001566782
IRFHM830TRPBFDKR
IRFHM830TRPBFCT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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