Numéro de produit du fabricant:
IRFH8316TRPBF
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRFH8316TRPBF-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V 27A/50A 8PQFN
Description détaillée:
N-Channel 30 V 27A (Ta), 50A (Tc) 3.6W (Ta), 59W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventaire:
12803108
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SOUMETTRE
IRFH8316TRPBF Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
HEXFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
27A (Ta), 50A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.95mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 50µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
59 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3610 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.6W (Ta), 59W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-PQFN (5x6)
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
4,000
Autres noms
SP001565956
2156-IRFH8316TRPBF
IRFH8316TRPBFDKR
INFINFIRFH8316TRPBF
IRFH8316TRPBFCT
IRFH8316TRPBFTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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