Numéro de produit du fabricant:
IRFH8201TRPBF
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRFH8201TRPBF-DG
Description:
MOSFET N-CH 25V 49A/100A 8PQFN
Description détaillée:
N-Channel 25 V 49A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventaire:
14568 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12807187
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SOUMETTRE
IRFH8201TRPBF Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
HEXFET®, StrongIRFET™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
25 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
49A (Ta), 100A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
0.95mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 150µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
111 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
7330 pF @ 13 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.6W (Ta), 156W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-PQFN (5x6)
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Numéro de produit de base
IRFH8201
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
4,000
Autres noms
IRFH8201TRPBFCT
IRFH8201TRPBFDKR
2156-IRFH8201TRPBFTR
IRFH8201TRPBFTR
IRFH8201TRPBF-DG
SP001577876
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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