Numéro de produit du fabricant:
IRFH5025TR2PBF
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRFH5025TR2PBF-DG
Description:
MOSFET N-CH 250V 3.8A PQFN
Description détaillée:
N-Channel 250 V 3.8A (Ta) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventaire:
12822638
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SOUMETTRE
IRFH5025TR2PBF Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
250 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
3.8A (Ta)
rds activé (max) @ id, vgs
100mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 150µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2150 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-PQFN (5x6)
Emballage / Caisse
8-PowerVDFN
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
400
Autres noms
IRFH5025TR2PBFTR
SP001563928
IRFH5025TR2PBFDKR
IRFH5025TR2PBFCT
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
SI7190DP-T1-GE3
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
5485
NUMÉRO DE PIÈCE
SI7190DP-T1-GE3-DG
PRIX UNITAIRE
0.76
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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