IRFH4226TRPBF
Numéro de produit du fabricant:

IRFH4226TRPBF

Product Overview

Fabricant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Numéro de pièce:

IRFH4226TRPBF-DG

Description:

MOSFET N-CH 25V 30A/70A 8PQFN
Description détaillée:
N-Channel 25 V 30A (Ta), 70A (Tc) 3.4W (Ta), 46W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Inventaire:

12805769
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SOUMETTRE

IRFH4226TRPBF Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
FASTIRFET™, HEXFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
25 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
30A (Ta), 70A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 50µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2000 pF @ 13 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3.4W (Ta), 46W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-PQFN (5x6)
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Numéro de produit de base
IRFH4226

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
4,000
Autres noms
SP001565802
IRFH4226TRPBFCT
IRFH4226TRPBFTR
IRFH4226TRPBFDKR

Classification environnementale et d'exportation

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
BSC024NE2LSATMA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
5426
NUMÉRO DE PIÈCE
BSC024NE2LSATMA1-DG
PRIX UNITAIRE
0.38
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFH8311TRPBF
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
48418
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFH8311TRPBF-DG
PRIX UNITAIRE
0.40
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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