Numéro de produit du fabricant:
IRF9953
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRF9953-DG
Description:
MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8SO
Description détaillée:
Mosfet Array 30V 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
Inventaire:
12806027
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SOUMETTRE
IRF9953 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET Arrays
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
HEXFET®
État du produit
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 P-Channel (Dual)
Fonctionnalité FET
Logic Level Gate
Tension de vidange à la source (Vdss)
30V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2.3A
rds activé (max) @ id, vgs
250mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
190pF @ 15V
Puissance - Max
2W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SO
Numéro de produit de base
IRF995
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
95
Autres noms
*IRF9953
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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